iPhone6 Plus召回？

 　　近日一則：「128G的iPhone6/Plus 會莫名崩潰，恐導(dǎo)致大規(guī)模召回�！沟男侣勗诰W(wǎng)上瘋傳，并且引起了不少蘋果用戶的擔(dān)心，尤其是那些根據(jù)「要買就買頂配」的買買買原則而選擇了 128G的iPhone的用戶。不過新聞內(nèi)容卻引起了筆者的好奇，根據(jù)報道內(nèi)容：

　　“引起 iPhone崩潰的原因竟然是NAND FLASHMEMORY(閃存)模塊中IC控制單元出現(xiàn)故障，并且蘋果為了減少成本使用了低價的NAND TLC FLASH MEMORY而非成本更高、速度更快的NAND MLC FLASH MEMORY。因此當(dāng)用戶安裝超過700個App時，iPhone便會自己崩潰，更令消費(fèi)者感到擔(dān)憂的是最新的iOS8.1更新中這個問題并未解決，問題是出在硬件上。”

　　NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么?

　　首先FLASH MEMORY作為閃存設(shè)備，是手機(jī)類設(shè)備的重要存儲介質(zhì)，由日本的東芝公司于1984年發(fā)明。在 FLASH MEMORY中又分為NOR FLASH和NAND FLASH兩種常見的類型，其中NOR FLASH屬于第一代產(chǎn)品，第一款商用產(chǎn)品是 1988年Intel公司所制造的 NOR FLASH 芯片，不過由于抹寫時間較長，成本較高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同樣是有東芝公司發(fā)明，在1988年的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC)所發(fā)布。NAND FLASH具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NAND FLASH相較于NOR FLASH具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數(shù)也高出NOR FLASH十倍。

　　在FLASH模塊中，數(shù)據(jù)被存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數(shù)組內(nèi)，在單階存儲單元(Single-level cell, SLC)設(shè)備中，每個單元只存儲1比特的信息，這簡稱為SLC NAND FLASH，其優(yōu)點(diǎn)是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長，不過缺點(diǎn)也很明顯：每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節(jié)需花費(fèi)較高的成本來生產(chǎn)，因此不利于實(shí)際生產(chǎn)。而多階存儲單元(Multi-level cell, MLC)設(shè)備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲2比特以上的數(shù)據(jù)，其「多階」指的是電荷充電有多個能階(即多個電壓值)，如此便能存儲多個比特的值于每個存儲單元中。借由每個存儲單元可存儲更多的比特，MLC 閃存可降低生產(chǎn)成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術(shù)會用在標(biāo)準(zhǔn)型的儲存卡中。而這一次被韓國媒體猛烈抨擊的三階儲存單元(Triple-Level Cell, TLC)TLC閃存，它的架構(gòu)原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內(nèi)儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次，但是可以做到大容量和低價格。現(xiàn)在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bit MLC。

　　iPhone中到底用了什么FLASH MEMORY

　　在韓國媒體的報道中「iPhone 不僅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH，更重要的是在其控制集成電路(IC)出現(xiàn)了故障。」在iPhone 內(nèi)部，這塊IC主要任務(wù)是其他電子元器件和NAND之間的調(diào)度和控制，保證數(shù)據(jù)的正常寫入和讀取，平時用戶不管是拍照還是使用應(yīng)用都離不開它。

　　那么實(shí)際情況是否如韓國媒體報道的那樣?帶著好奇，筆者查閱ifixit的拆機(jī)資。根據(jù)16G的真機(jī)實(shí)拆圖顯示，其采用來自韓國的海力士(SKhynix)的NAND FLASH，型號為 H2JTDG8UD1BMS。(圖中紅色部分)

　　這顆NAND FLASH在海力士的技術(shù)文檔中被歸為E2NAND 3.0，是由SK Hynix和Anobit合作開發(fā)的，而Anobit早已被蘋果收購，致力于提高閃存的穩(wěn)定性。雖然海力士并未明確標(biāo)注H2JTDG8UD1BMS的類型，但是在全球領(lǐng)先的微電子服務(wù)網(wǎng)站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明確規(guī)范為NAND MLC FLASH MEMORY。

　　因此此次韓國媒體存在著失實(shí)情況，iPhone 6 Plus所使用的就是NAND MLC FLASH MEMORY，而非所謂的廉價NAND TLC FLASH MEMORY。而至于這塊FLASH中的控制 IC是否存在問題，目前蘋果官方并未出面解釋，在其他媒體上也未見反映，因此需要進(jìn)一步確認(rèn)。

　　這則新聞的背后

　　雖然iPhone 6 Plus中的技術(shù)細(xì)節(jié)已經(jīng)排查清楚，那么為什么這樣一則不實(shí)新聞會出現(xiàn)呢?筆者接著進(jìn)行了排查。

　　這則新聞最先出現(xiàn)于韓國媒體BusinessKorea，蹊蹺的是BusinessKorea引援的內(nèi)容均來自蘋果論壇上的同一個用戶，他在總計(jì)159篇的討論帖中都反映了128G iPhone 6 Plus的自動崩潰問題。

　　顯然在這個過程中BusinessKorea存在著明顯的缺失，新聞事實(shí)明顯不足，證據(jù)單一，說服力較低。除此之外，也沒有查明iPhone 6 Plus 的真實(shí)元器件，輕易得出了128G iPhone 6 Plus 采用NAND TLC FLASH MEMORY的錯誤結(jié)論。

　　雖然蘋果官方已經(jīng)表態(tài)，不存在128G iPhone 6 Plus大規(guī)模自動崩潰的現(xiàn)象，更不可能大規(guī)模召回，但是這則失實(shí)新聞對不少蘋果用戶還是造成不小的影響。在筆者的實(shí)際使用過程中，iPhone 6 確實(shí)出現(xiàn)過程序崩潰的現(xiàn)象，但是次數(shù)十分少見，多為越獄后插件沖突所致，而在日常生活中和媒體上更是從未見過高頻率的崩潰現(xiàn)象，因此各位128G的土豪用戶大可放心，只是各家媒體長點(diǎn)心吧!不要一味了眼球而不負(fù)責(zé)任的轉(zhuǎn)載。